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SQJ409EP-T1_BE3

SQJ409EP-T1_BE3

SQJ409EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

não conforme

SQJ409EP-T1_BE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.57000 $1.57
500 $1.5543 $777.15
1000 $1.5386 $1538.6
1500 $1.5229 $2284.35
2000 $1.5072 $3014.4
2500 $1.4915 $3728.75
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 60A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 7mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 260 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 11000 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 68W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

NTMFS5C682NLT1G
NTMFS5C682NLT1G
$0 $/pedaço
IXTT48P20P
IXTT48P20P
$0 $/pedaço
FDMC2523P
FDMC2523P
$0 $/pedaço
FQT3P20TF
FQT3P20TF
$0 $/pedaço
BUK664R4-55C,118
3LN01SS-TL-E
3LN01SS-TL-E
$0 $/pedaço
SQD40020E_GE3
SQD40020E_GE3
$0 $/pedaço
R6006JNXC7G
R6006JNXC7G
$0 $/pedaço

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