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TSM2N60SCW RPG

TSM2N60SCW RPG

TSM2N60SCW RPG

MOSFET N-CH 600V 600MA SOT223

não conforme

TSM2N60SCW RPG Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.24056 -
5,000 $0.23226 -
669 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 600mA (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 5Ohm @ 600mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 13 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 435 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.5W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-223
pacote / caixa TO-261-4, TO-261AA
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Número da peça relacionada

R6006JNXC7G
R6006JNXC7G
$0 $/pedaço
SSN1N45BTA
SSN1N45BTA
$0 $/pedaço
STF80N10F7
STF80N10F7
$0 $/pedaço
SFT1445-TL-H
SFT1445-TL-H
$0 $/pedaço
FQD4N50TM
IPW60R180P7XKSA1
STB36NF06LT4
STB36NF06LT4
$0 $/pedaço
STP3NK80Z
STP3NK80Z
$0 $/pedaço
NTMTS0D4N04CTXG
NTMTS0D4N04CTXG
$0 $/pedaço

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