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SQJ407EP-T1_GE3

SQJ407EP-T1_GE3

SQJ407EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8

SOT-23

não conforme

SQJ407EP-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.58056 -
6,000 $0.55330 -
15,000 $0.53383 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 60A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4.4mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 260 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 10700 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 68W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

PSMN2R0-25YLDX
IXTP1N80P
IXTP1N80P
$0 $/pedaço
BUK761R8-30C,118
BUK761R8-30C,118
$0 $/pedaço
AUIRFR5305TRL
HUFA76419P3
FQPF12N60
2SJ589LS
2SJ589LS
$0 $/pedaço

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