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Nome | Valor |
---|---|
status do produto | Active |
tipo de feto | P-Channel |
tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
tensão de dreno para fonte (vdss) | 55 V |
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c | 31A (Tc) |
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) | 10V |
rds em (máx.) @ id, vgs | 65mOhm @ 16A, 10V |
vgs(th) (máx.) @ id | 4V @ 250µA |
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs | 63 nC @ 10 V |
vgs (máx.) | ±20V |
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds | 1200 pF @ 25 V |
característica fet | - |
dissipação de potência (máx.) | 110W (Tc) |
temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
tipo de montagem | Surface Mount |
pacote de dispositivo do fornecedor | PG-TO252-3 |
pacote / caixa | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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