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SQD50P04-09L_GE3

SQD50P04-09L_GE3

SQD50P04-09L_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 40V 50A TO252

SOT-23

não conforme

SQD50P04-09L_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,000 $1.41075 -
6,000 $1.35850 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 50A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 9.4mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 155 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 6675 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 136W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252AA
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

IXFA18N60X
IXFA18N60X
$0 $/pedaço
PHD71NQ03LT,118
PHD71NQ03LT,118
$0 $/pedaço
NVMFS5C680NLWFT1G
NVMFS5C680NLWFT1G
$0 $/pedaço
DMP2004WK-7
DMP2004WK-7
$0 $/pedaço
SI2304BDS-T1-BE3
VN2410L-G-P013

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