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SI2304BDS-T1-BE3

SI2304BDS-T1-BE3

SI2304BDS-T1-BE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

não conforme

SI2304BDS-T1-BE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.50000 $0.5
500 $0.495 $247.5
1000 $0.49 $490
1500 $0.485 $727.5
2000 $0.48 $960
2500 $0.475 $1187.5
5550 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2.6A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 70mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 7 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 225 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 750mW (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-23-3 (TO-236)
pacote / caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número da peça relacionada

VN2410L-G-P013
BUK7613-100E,118
IPD135N03LGATMA1
IXFP36N60X3
IXFP36N60X3
$0 $/pedaço
STFI20NK50Z
STFI20NK50Z
$0 $/pedaço
NTD4854NT4G
NTD4854NT4G
$0 $/pedaço
STP33N60M6
STP33N60M6
$0 $/pedaço

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