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SQD23N06-31L_GE3

SQD23N06-31L_GE3

SQD23N06-31L_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 23A TO252

compliant

SQD23N06-31L_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,000 $0.74844 -
6,000 $0.71102 -
10,000 $0.68429 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 23A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 31mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 24 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 845 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 37W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252AA
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

XP232N03013R-G
FQP4P40
FQP4P40
$0 $/pedaço
IXFH80N65X2
IXFH80N65X2
$0 $/pedaço
NVMSD6N303R2G
NVMSD6N303R2G
$0 $/pedaço
AUIRFR3504ZTRL
IPP60R099C6XKSA1
IRF740PBF-BE3
IRF740PBF-BE3
$0 $/pedaço
BUK7Y07-30B,115
SIHG21N80AE-GE3

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