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SIHG21N80AE-GE3

SIHG21N80AE-GE3

SIHG21N80AE-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 800V 17.4A TO247AC

não conforme

SIHG21N80AE-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $5.01000 $5.01
500 $4.9599 $2479.95
1000 $4.9098 $4909.8
1500 $4.8597 $7289.55
2000 $4.8096 $9619.2
2500 $4.7595 $11898.75
525 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 800 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 17.4A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 235mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 72 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1388 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 32W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247AC
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

IPN80R4K5P7ATMA1
IRF6648TRPBF
RM052N100DF
RM052N100DF
$0 $/pedaço
MCG20P03-TP
MCG20P03-TP
$0 $/pedaço
IRF3610STRLPBF
RF4E110BNTR
RF4E110BNTR
$0 $/pedaço
STL18N65M2
STL18N65M2
$0 $/pedaço

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