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SQ4483BEEY-T1_GE3

SQ4483BEEY-T1_GE3

SQ4483BEEY-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CHANNEL 30V 22A 8SOIC

não conforme

SQ4483BEEY-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.81310 -
5,000 $0.78489 -
12,500 $0.76950 -
1210 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 22A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 8.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 113 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 7W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-SOIC
pacote / caixa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Número da peça relacionada

PMPB07R0UNX
PMPB07R0UNX
$0 $/pedaço
SIR880ADP-T1-GE3
IXFH42N60P3
IXFH42N60P3
$0 $/pedaço
SIHG25N50E-GE3
SIHG25N50E-GE3
$0 $/pedaço
FCPF380N65FL1
FCP220N80
FCP220N80
$0 $/pedaço
STL210N4LF7AG
FQD5P10TM
FQD5P10TM
$0 $/pedaço
FQP4N90
FQP4N90
$0 $/pedaço

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