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SIHG25N50E-GE3

SIHG25N50E-GE3

SIHG25N50E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 500V 26A TO247AC

não conforme

SIHG25N50E-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $4.27000 $4.27
10 $3.81200 $38.12
100 $3.12540 $312.54
500 $2.53084 $1265.42
1,000 $2.13444 -
2,500 $2.02772 -
5,000 $1.95149 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 500 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 26A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 145mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 86 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1980 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 250W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247AC
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

FCPF380N65FL1
FCP220N80
FCP220N80
$0 $/pedaço
STL210N4LF7AG
FQD5P10TM
FQD5P10TM
$0 $/pedaço
FQP4N90
FQP4N90
$0 $/pedaço
PMH400UNEH
PMH400UNEH
$0 $/pedaço
STD80N4F6
STD80N4F6
$0 $/pedaço

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