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SQ3426AEEV-T1_GE3

SQ3426AEEV-T1_GE3

SQ3426AEEV-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP

compliant

SQ3426AEEV-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.27459 -
6,000 $0.25677 -
15,000 $0.24786 -
30,000 $0.24300 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 7A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 42mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 12 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 700 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 5W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 6-TSOP
pacote / caixa SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Número da peça relacionada

NTNS3166NZT5G
NTNS3166NZT5G
$0 $/pedaço
STL45P3LLH6
STL45P3LLH6
$0 $/pedaço
BSZ065N03LSATMA1
NVMFS5C468NLAFT3G
NVMFS5C468NLAFT3G
$0 $/pedaço
IXTH86N20T
IXTH86N20T
$0 $/pedaço
BSS138W-TP
BSS138W-TP
$0 $/pedaço
IRF640SPBF
IRF640SPBF
$0 $/pedaço
FDP26N40
FDP26N40
$0 $/pedaço

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