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BSZ065N03LSATMA1

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BSZ065N03LSATMA1

MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON

não conforme

BSZ065N03LSATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
5,000 $0.29700 -
10,000 $0.28600 -
25,000 $0.28000 -
1647 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 12A (Ta), 40A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 6.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 10 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 670 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.1W (Ta), 26W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TSDSON-8-FL
pacote / caixa 8-PowerTDFN
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Número da peça relacionada

NVMFS5C468NLAFT3G
NVMFS5C468NLAFT3G
$0 $/pedaço
IXTH86N20T
IXTH86N20T
$0 $/pedaço
BSS138W-TP
BSS138W-TP
$0 $/pedaço
IRF640SPBF
IRF640SPBF
$0 $/pedaço
FDP26N40
FDP26N40
$0 $/pedaço
IRFS7430TRLPBF
FDH45N50F-F133
FDH45N50F-F133
$0 $/pedaço
SUP90330E-GE3
SUP90330E-GE3
$0 $/pedaço
RQ1E070RPTR
RQ1E070RPTR
$0 $/pedaço

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