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SUP90330E-GE3

SUP90330E-GE3

SUP90330E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 35.8A TO220AB

não conforme

SUP90330E-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.91000 $1.91
10 $1.69200 $16.92
100 $1.34720 $134.72
500 $1.05558 $527.79
1,000 $0.84350 -
2,500 $0.79048 -
5,000 $0.75337 -
263 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 35.8A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 7.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 32 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1172 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 125W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

RQ1E070RPTR
RQ1E070RPTR
$0 $/pedaço
CSD25483F4
CSD25483F4
$0 $/pedaço
FDS6694
FDS6694
$0 $/pedaço
STD140N6F7
STD140N6F7
$0 $/pedaço
STD5N80K5
STD5N80K5
$0 $/pedaço
NVMFS5C468NWFT1G
NVMFS5C468NWFT1G
$0 $/pedaço

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