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SISS73DN-T1-GE3

SISS73DN-T1-GE3

SISS73DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 150V 4.4A/16.2A PPAK

compliant

SISS73DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.58000 $1.58
500 $1.5642 $782.1
1000 $1.5484 $1548.4
1500 $1.5326 $2298.9
2000 $1.5168 $3033.6
2500 $1.501 $3752.5
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 150 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4.4A (Ta), 16.2A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 125mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 22 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 719 pF @ 75 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8S
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8S
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Número da peça relacionada

FCH76N60N
FCH76N60N
$0 $/pedaço
APT14M100B
APT14M100B
$0 $/pedaço
NTHD4N02FT1G
NTHD4N02FT1G
$0 $/pedaço
UF3SC065007K4S
UF3SC065007K4S
$0 $/pedaço
NTE2396
NTE2396
$0 $/pedaço
STP100N10F7
STP100N10F7
$0 $/pedaço
SIHB6N65E-GE3
SIHB6N65E-GE3
$0 $/pedaço
TN5325N3-G-P002
PMPB50ENEA115
PMPB50ENEA115
$0 $/pedaço

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