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STP100N10F7

STP100N10F7

STP100N10F7

MOSFET N CH 100V 80A TO-220

compliant

STP100N10F7 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $2.88000 $2.88
50 $2.35200 $117.6
100 $2.13200 $213.2
500 $1.69200 $846
1,000 $1.42800 -
2,500 $1.34000 -
5,000 $1.29600 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 80A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 8mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 61 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4369 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 150W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

SIHB6N65E-GE3
SIHB6N65E-GE3
$0 $/pedaço
TN5325N3-G-P002
PMPB50ENEA115
PMPB50ENEA115
$0 $/pedaço
NXV55UNR
NXV55UNR
$0 $/pedaço
SPI08N80C3
IRFIZ34GPBF
IRFIZ34GPBF
$0 $/pedaço
NTE2374
NTE2374
$0 $/pedaço
STU1HN60K3
STU1HN60K3
$0 $/pedaço
SI2318A-TP
SI2318A-TP
$0 $/pedaço
SISS04DN-T1-GE3

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