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NXV55UNR

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NXV55UN/SOT23/TO-236AB

compliant

NXV55UNR Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.46000 $0.46
500 $0.4554 $227.7
1000 $0.4508 $450.8
1500 $0.4462 $669.3
2000 $0.4416 $883.2
2500 $0.437 $1092.5
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 1.9A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.5V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 66mOhm @ 1.9A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 900mV @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 8.7 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 352 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-236AB
pacote / caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número da peça relacionada

SPI08N80C3
IRFIZ34GPBF
IRFIZ34GPBF
$0 $/pedaço
NTE2374
NTE2374
$0 $/pedaço
STU1HN60K3
STU1HN60K3
$0 $/pedaço
SI2318A-TP
SI2318A-TP
$0 $/pedaço
SISS04DN-T1-GE3
HUF75343G3
BUK7222-55A,118
SIDR392DP-T1-GE3
FDP047AN08A0-F102
FDP047AN08A0-F102
$0 $/pedaço

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