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SISS5708DN-T1-GE3

SISS5708DN-T1-GE3

SISS5708DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW

não conforme

SISS5708DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.88000 $1.88
500 $1.8612 $930.6
1000 $1.8424 $1842.4
1500 $1.8236 $2735.4
2000 $1.8048 $3609.6
2500 $1.786 $4465
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 150 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 9.3A (Ta), 33.8A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 7.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 23mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 975 pF @ 75 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 5W (Ta), 65.7W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8S
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8S
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Número da peça relacionada

FDBL86563-F085
FDBL86563-F085
$0 $/pedaço
IRFZ44ZPBF
UF4SC120030K4S
UF4SC120030K4S
$0 $/pedaço
IRF1010NSTRRPBF
STU8NM50N
STU8NM50N
$0 $/pedaço
ATP302-TL-H
ATP302-TL-H
$0 $/pedaço
IXTX46N50L
IXTX46N50L
$0 $/pedaço
2N7002ET1G
2N7002ET1G
$0 $/pedaço
FQPF630
FQPF630
$0 $/pedaço

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