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SISS42LDN-T1-GE3

SISS42LDN-T1-GE3

SISS42LDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 11.3A/39A PPAK

não conforme

SISS42LDN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.36000 $1.36
500 $1.3464 $673.2
1000 $1.3328 $1332.8
1500 $1.3192 $1978.8
2000 $1.3056 $2611.2
2500 $1.292 $3230
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 11.3A (Ta), 39A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 14.9mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 48 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2058 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 4.8W (Ta), 57W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8S
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8S
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Número da peça relacionada

IXFH12N80P
IXFH12N80P
$0 $/pedaço
IRFU024NPBF
SI4116DY-T1-GE3
HUFA75344S3
FCB36N60NTM
FCB36N60NTM
$0 $/pedaço

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