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PJQ4409P_R2_00001

PJQ4409P_R2_00001

PJQ4409P_R2_00001

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

compliant

PJQ4409P_R2_00001 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.44000 $0.44
500 $0.4356 $217.8
1000 $0.4312 $431.2
1500 $0.4268 $640.2
2000 $0.4224 $844.8
2500 $0.418 $1045
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 6.5A (Ta), 24A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 30mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 7.8 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 870 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2W (Ta), 30W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor DFN3333-8
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

SI4116DY-T1-GE3
HUFA75344S3
FCB36N60NTM
FCB36N60NTM
$0 $/pedaço
GA05JT03-46
IRFU320PBF
IRFU320PBF
$0 $/pedaço
IXTK90N25L2
IXTK90N25L2
$0 $/pedaço
NVD5C632NLT4G
NVD5C632NLT4G
$0 $/pedaço

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