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SISS30DN-T1-GE3

SISS30DN-T1-GE3

SISS30DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAK

não conforme

SISS30DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.54120 -
6,000 $0.51579 -
15,000 $0.49764 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 80 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 15.9A (Ta), 54.7A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 7.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 8.25mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.8V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 40 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1666 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 4.8W (Ta), 57W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8S
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8S
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Número da peça relacionada

APTM120U10SAG
FDD5810
FDD5810
$0 $/pedaço
STS14N3LLH5
STS14N3LLH5
$0 $/pedaço
NTR4501NT1G
NTR4501NT1G
$0 $/pedaço
IRFS7434TRLPBF
VP2110K1-G
VP2110K1-G
$0 $/pedaço
HUF75617D3

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