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FDD5810

FDD5810

FDD5810

MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAK

FDD5810 Ficha de dados

compliant

FDD5810 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.83000 $0.83
500 $0.8217 $410.85
1000 $0.8134 $813.4
1500 $0.8051 $1207.65
2000 $0.7968 $1593.6
2500 $0.7885 $1971.25
540 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 7.4A (Ta), 37A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 22mOhm @ 32A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 34 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1890 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 72W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252, (D-Pak)
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

STS14N3LLH5
STS14N3LLH5
$0 $/pedaço
NTR4501NT1G
NTR4501NT1G
$0 $/pedaço
IRFS7434TRLPBF
VP2110K1-G
VP2110K1-G
$0 $/pedaço
HUF75617D3
IRF9Z34NPBF
SI4776DY-T1-GE3

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