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AONR21357

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MOSFET P-CH 30V 21A/34A 8DFN

não conforme

AONR21357 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
5,000 $0.25160 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
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Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 21A (Ta), 34A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 7.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 70 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±25V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2830 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 5W (Ta), 30W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-DFN-EP (3x3)
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

IRF9Z34NPBF
SI4776DY-T1-GE3
APT10M11JVRU3
DMP2110UQ-7
DMP2110UQ-7
$0 $/pedaço
SI4166DY-T1-GE3
SIHP30N60AEL-GE3
FQD10N20LTM
FQD10N20LTM
$0 $/pedaço
IXFH120N25T
IXFH120N25T
$0 $/pedaço
SIR632DP-T1-RE3

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