Welcome to ichome.com!

logo
Lar

SISS23DN-T1-GE3

SISS23DN-T1-GE3

SISS23DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S

não conforme

SISS23DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.37070 -
6,000 $0.34664 -
15,000 $0.33461 -
30,000 $0.32805 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 50A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.8V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 4.5mOhm @ 20A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 900mV @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 300 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 8840 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 4.8W (Ta), 57W (Tc)
temperatura de operação -50°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8S
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8S
O carregamento do PDF falhou, você pode tentar abrir em uma nova janela para acessar [Abrir], ou clique para retornar

Número da peça relacionada

SI7454DP-T1-E3
SI7454DP-T1-E3
$0 $/pedaço
STP18N65M2
STP18N65M2
$0 $/pedaço
SIRA84BDP-T1-GE3
IRFR210TRPBF-BE3
IRF9Z34PBF
IRF9Z34PBF
$0 $/pedaço
STP270N8F7
STP270N8F7
$0 $/pedaço
ZXMN2069FTA
ZXMN2069FTA
$0 $/pedaço
RTM002P02T2L
RTM002P02T2L
$0 $/pedaço

Seu parceiro confiável em eletrônicos

Dedicado a exceder suas expectativas. IChome: Atendimento ao cliente redefinido para a indústria eletrônica.