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IPB80R290C3AATMA2

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IPB80R290C3AATMA2

MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3

não conforme

IPB80R290C3AATMA2 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $3.07954 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 800 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 17A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 290mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.9V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 117 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2300 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 227W (Tc)
temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-3-2
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

IRFR210TRPBF-BE3
IRF9Z34PBF
IRF9Z34PBF
$0 $/pedaço
STP270N8F7
STP270N8F7
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ZXMN2069FTA
ZXMN2069FTA
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RTM002P02T2L
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ZVN4306GTA
ZVN4306GTA
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IXFN340N06
IXFN340N06
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NVB110N65S3F
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SQS850EN-T1_GE3

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