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SISS10ADN-T1-GE3

SISS10ADN-T1-GE3

SISS10ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 31.7A/109A PPAK

compliant

SISS10ADN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.28171 -
6,000 $0.26343 -
15,000 $0.25429 -
30,000 $0.24930 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 31.7A (Ta), 109A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.65mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 61 nC @ 10 V
vgs (máx.) +20V, -16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3030 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8S
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8S
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Número da peça relacionada

STB24N60M6
STB24N60M6
$0 $/pedaço
DMTH4007SK3-13
EPC2067
EPC2067
$0 $/pedaço
IXTA3N100P-TRL
IXTA3N100P-TRL
$0 $/pedaço
IRLZ44NSTRLPBF
RU1C001ZPTL
RU1C001ZPTL
$0 $/pedaço
SPB04N50C3
R6030ENZ4C13
R6030ENZ4C13
$0 $/pedaço
BUK6D56-60EX
BUK6D56-60EX
$0 $/pedaço

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