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STB24N60M6

STB24N60M6

STB24N60M6

MOSFET N-CH 600V D2PAK

não conforme

STB24N60M6 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $2.07600 -
2,000 $1.98360 -
5,000 $1.91760 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 17A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 190mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.75V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 23 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±25V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 960 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 130W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

DMTH4007SK3-13
EPC2067
EPC2067
$0 $/pedaço
IXTA3N100P-TRL
IXTA3N100P-TRL
$0 $/pedaço
IRLZ44NSTRLPBF
RU1C001ZPTL
RU1C001ZPTL
$0 $/pedaço
SPB04N50C3
R6030ENZ4C13
R6030ENZ4C13
$0 $/pedaço
BUK6D56-60EX
BUK6D56-60EX
$0 $/pedaço
IXTH110N10L2
IXTH110N10L2
$0 $/pedaço

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