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SISS02DN-T1-GE3

SISS02DN-T1-GE3

SISS02DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 25V 51A/80A PPAK

compliant

SISS02DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.71963 -
6,000 $0.68585 -
15,000 $0.66171 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 25 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 51A (Ta), 80A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.2mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 83 nC @ 10 V
vgs (máx.) +16V, -12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4450 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 5W (Ta), 65.7W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8S
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8S
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Número da peça relacionada

2SK4065-DL-1E
2SK4065-DL-1E
$0 $/pedaço
AUIRLR120NTRL
NVMYS021N06CLTWG
NVMYS021N06CLTWG
$0 $/pedaço
IRF3805STRLPBF
FQD2P40TM
FQD2P40TM
$0 $/pedaço
DMP3068LVT-13
SIHP22N65E-GE3
SIHP22N65E-GE3
$0 $/pedaço
SIR120DP-T1-RE3
BSZ0501NSIATMA1

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