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NVMYS021N06CLTWG

NVMYS021N06CLTWG

NVMYS021N06CLTWG

onsemi

MOSFET N-CH 60V 9.8A/27A 4LFPAK

compliant

NVMYS021N06CLTWG Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.84000 $1.84
500 $1.8216 $910.8
1000 $1.8032 $1803.2
1500 $1.7848 $2677.2
2000 $1.7664 $3532.8
2500 $1.748 $4370
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 9.8A (Ta), 27A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 21mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 16µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 5 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 410 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.8W (Ta), 28W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor LFPAK4 (5x6)
pacote / caixa SOT-1023, 4-LFPAK
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Número da peça relacionada

IRF3805STRLPBF
FQD2P40TM
FQD2P40TM
$0 $/pedaço
DMP3068LVT-13
SIHP22N65E-GE3
SIHP22N65E-GE3
$0 $/pedaço
SIR120DP-T1-RE3
BSZ0501NSIATMA1
SIHF35N60E-GE3
SIHF35N60E-GE3
$0 $/pedaço
NTD4863N-1G
NTD4863N-1G
$0 $/pedaço

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