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SIS427EDN-T1-GE3

SIS427EDN-T1-GE3

SIS427EDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8

compliant

SIS427EDN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.30510 -
6,000 $0.28530 -
15,000 $0.27540 -
30,000 $0.27000 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 50A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 10.6mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 66 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±25V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1930 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

SQJQ144AER-T1_GE3
DMP32D5LFA-7B
FQP12P20
FQP12P20
$0 $/pedaço
NTE491
NTE491
$0 $/pedaço
IRF620PBF-BE3
IRF620PBF-BE3
$0 $/pedaço
MMFTN170
MMFTN170
$0 $/pedaço
IXTA05N100HV-TRL
IXTA05N100HV-TRL
$0 $/pedaço
SQJ211ELP-T1_GE3
DMTH4014LPSWQ-13
FCP11N60F
FCP11N60F
$0 $/pedaço

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