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SQJ211ELP-T1_GE3

SQJ211ELP-T1_GE3

SQJ211ELP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8

compliant

SQJ211ELP-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.67000 $1.67
500 $1.6533 $826.65
1000 $1.6366 $1636.6
1500 $1.6199 $2429.85
2000 $1.6032 $3206.4
2500 $1.5865 $3966.25
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 33.6A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) -
rds em (máx.) @ id, vgs 30mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 68 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3800 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 68W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

DMTH4014LPSWQ-13
FCP11N60F
FCP11N60F
$0 $/pedaço
MSC090SMA070B
IRL3705NSTRLPBF
SI3483CDV-T1-E3
BUK9M15-40HX
BUK9M15-40HX
$0 $/pedaço
IXTP42N25P
IXTP42N25P
$0 $/pedaço
RM2308
RM2308
$0 $/pedaço

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