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SIS413DN-T1-GE3

SIS413DN-T1-GE3

SIS413DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8

não conforme

SIS413DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.25425 -
6,000 $0.23775 -
15,000 $0.22950 -
30,000 $0.22500 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 18A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 9.4mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 110 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4280 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

IXFH26N100X
IXFH26N100X
$0 $/pedaço
HUF75829D3
FDG312P
FDG312P
$0 $/pedaço
R6011KNXC7G
R6011KNXC7G
$0 $/pedaço
STB80N20M5
STB80N20M5
$0 $/pedaço
FDMA8051L
FDMA8051L
$0 $/pedaço
SIHF6N40D-E3
SIHF6N40D-E3
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NTR4003NT1G
NTR4003NT1G
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