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FDG312P

FDG312P

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MOSFET P-CH 20V 1.2A SC88

FDG312P Ficha de dados

compliant

FDG312P Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.15686 -
6,000 $0.14674 -
15,000 $0.13662 -
30,000 $0.12954 -
75,000 $0.12880 -
214687 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 1.2A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 180mOhm @ 1.2A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 5 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 330 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 750mW (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SC-88 (SC-70-6)
pacote / caixa 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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Número da peça relacionada

R6011KNXC7G
R6011KNXC7G
$0 $/pedaço
STB80N20M5
STB80N20M5
$0 $/pedaço
FDMA8051L
FDMA8051L
$0 $/pedaço
SIHF6N40D-E3
SIHF6N40D-E3
$0 $/pedaço
NTR4003NT1G
NTR4003NT1G
$0 $/pedaço
SI4435DY
SI4435DY
$0 $/pedaço
FQT13N06LTF
FQT13N06LTF
$0 $/pedaço
FDS8882
FDS8882
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