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SIS410DN-T1-GE3

SIS410DN-T1-GE3

SIS410DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

compliant

SIS410DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.50299 -
6,000 $0.47937 -
15,000 $0.46250 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 35A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 41 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1600 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.8W (Ta), 52W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

IRF840APBF-BE3
IRF840APBF-BE3
$0 $/pedaço
BUK7610-100B,118
NTMFS4C08NT1G
NTMFS4C08NT1G
$0 $/pedaço
IXTP200N055T2
IXTP200N055T2
$0 $/pedaço
NVTFS9D6P04M8LTAG
NVTFS9D6P04M8LTAG
$0 $/pedaço
SQS840EN-T1_GE3
BUK762R7-30B,118
STP46NF30
STP46NF30
$0 $/pedaço
BSS138-13-F
BSS138-13-F
$0 $/pedaço

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