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SQS840EN-T1_GE3

SQS840EN-T1_GE3

SQS840EN-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 12A PPAK1212-8

não conforme

SQS840EN-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.34578 -
6,000 $0.32334 -
15,000 $0.31212 -
30,000 $0.30600 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 12A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 20mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 22.5 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1031 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 33W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

BUK762R7-30B,118
STP46NF30
STP46NF30
$0 $/pedaço
BSS138-13-F
BSS138-13-F
$0 $/pedaço
2N7002CK,215
2N7002CK,215
$0 $/pedaço
SIRA14DP-T1-GE3
NTF6P02T3G
NTF6P02T3G
$0 $/pedaço
IRFIZ44NPBF
BSS84AKW,115
BSS84AKW,115
$0 $/pedaço

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