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SIS407DN-T1-GE3

SIS407DN-T1-GE3

SIS407DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8

não conforme

SIS407DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.47560 -
6,000 $0.45327 -
15,000 $0.43732 -
4372 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 25A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.8V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 93.8 nC @ 8 V
vgs (máx.) ±8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2760 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.6W (Ta), 33W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

SIRA52ADP-T1-RE3
IRFD113PBF
IRFD113PBF
$0 $/pedaço
IRFZ48RPBF
IRFZ48RPBF
$0 $/pedaço
RJU003N03FRAT106
IXFP26N30X3
IXFP26N30X3
$0 $/pedaço
SIA447DJ-T1-GE3
PMV100EPAR
PMV100EPAR
$0 $/pedaço

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