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SIRA52ADP-T1-RE3

SIRA52ADP-T1-RE3

SIRA52ADP-T1-RE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK

compliant

SIRA52ADP-T1-RE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.67978 -
6,000 $0.64786 -
15,000 $0.62507 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 41.6A (Ta), 131A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.63mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 100 nC @ 10 V
vgs (máx.) +20V, -16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5500 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 4.8W (Ta), 48W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

IRFD113PBF
IRFD113PBF
$0 $/pedaço
IRFZ48RPBF
IRFZ48RPBF
$0 $/pedaço
RJU003N03FRAT106
IXFP26N30X3
IXFP26N30X3
$0 $/pedaço
SIA447DJ-T1-GE3
PMV100EPAR
PMV100EPAR
$0 $/pedaço
FQI4N80TU

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