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SIS184DN-T1-GE3

SIS184DN-T1-GE3

SIS184DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 17.4A/65.3A PPAK

não conforme

SIS184DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.69749 -
6,000 $0.66474 -
15,000 $0.64135 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 17.4A (Ta), 65.3A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 7.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 5.8mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 32 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1490 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

STB120N4F6
STB120N4F6
$0 $/pedaço
SIHFS11N50A-GE3
FDS86540
PSMN4R3-30BL,118
IXTA42N15T
IXTA42N15T
$0 $/pedaço
RQ6L020SPTCR
RQ6L020SPTCR
$0 $/pedaço
IRFR3411PBF
ZXMN6A08E6QTA
PMV16XNR
PMV16XNR
$0 $/pedaço

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