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STB120N4F6

STB120N4F6

STB120N4F6

MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

não conforme

STB120N4F6 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $1.81650 -
2,000 $1.73565 -
5,000 $1.67790 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 80A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 65 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3850 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 110W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

SIHFS11N50A-GE3
FDS86540
PSMN4R3-30BL,118
IXTA42N15T
IXTA42N15T
$0 $/pedaço
RQ6L020SPTCR
RQ6L020SPTCR
$0 $/pedaço
IRFR3411PBF
ZXMN6A08E6QTA
PMV16XNR
PMV16XNR
$0 $/pedaço
IXTN22N100L
IXTN22N100L
$0 $/pedaço

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