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IXTN22N100L

IXTN22N100L

IXTN22N100L

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 22A SOT227B

compliant

IXTN22N100L Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $42.03000 $42.03
10 $39.30600 $393.06
30 $36.35200 $1090.56
100 $34.08000 $3408
250 $31.80800 $7952
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 1000 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 22A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 20V
rds em (máx.) @ id, vgs 600mOhm @ 11A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id 5.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 270 nC @ 15 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 7050 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 700W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Chassis Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-227B
pacote / caixa SOT-227-4, miniBLOC
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Número da peça relacionada

STB30N65M5
STB30N65M5
$0 $/pedaço
FDG315N
FDG315N
$0 $/pedaço
IRFR9024NTRLPBF
STF10P6F6
STF10P6F6
$0 $/pedaço
NTD20N06LT4G
NTD20N06LT4G
$0 $/pedaço
BSS84AKVL
BSS84AKVL
$0 $/pedaço
IRLB8748PBF
SISA12BDN-T1-GE3

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