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FDG315N

FDG315N

FDG315N

2A, 30V, N-CHANNEL, MOSFET

FDG315N Ficha de dados

compliant

FDG315N Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.24058 -
6,000 $0.22506 -
15,000 $0.20953 -
30,000 $0.19867 -
20245 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 120mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 4 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 220 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 750mW (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SC-88 (SC-70-6)
pacote / caixa 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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Número da peça relacionada

IRFR9024NTRLPBF
STF10P6F6
STF10P6F6
$0 $/pedaço
NTD20N06LT4G
NTD20N06LT4G
$0 $/pedaço
BSS84AKVL
BSS84AKVL
$0 $/pedaço
IRLB8748PBF
SISA12BDN-T1-GE3
PMZB950UPEL315

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