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SIS128LDN-T1-GE3

SIS128LDN-T1-GE3

SIS128LDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 80V 10.2A/33.7A PPAK

compliant

SIS128LDN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.03000 $1.03
500 $1.0197 $509.85
1000 $1.0094 $1009.4
1500 $0.9991 $1498.65
2000 $0.9888 $1977.6
2500 $0.9785 $2446.25
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 80 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 10.2A (Ta), 33.7A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 15.6mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1250 pF @ 40 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.6W (Ta), 39W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

STS11NF30L
STS11NF30L
$0 $/pedaço
DMN53D0L-7
DMN53D0L-7
$0 $/pedaço
IRFH8321TRPBF
NTK3134NT1G
NTK3134NT1G
$0 $/pedaço
SQ2361ES-T1_BE3
NTD60N03
NTD60N03
$0 $/pedaço
APT44F80L
APT44F80L
$0 $/pedaço
SI4456DY-T1-GE3

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