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SQ2361ES-T1_BE3

SQ2361ES-T1_BE3

SQ2361ES-T1_BE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3

SOT-23

não conforme

SQ2361ES-T1_BE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.66000 $0.66
500 $0.6534 $326.7
1000 $0.6468 $646.8
1500 $0.6402 $960.3
2000 $0.6336 $1267.2
2500 $0.627 $1567.5
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2.8A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 177mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 550 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-23-3 (TO-236)
pacote / caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número da peça relacionada

NTD60N03
NTD60N03
$0 $/pedaço
APT44F80L
APT44F80L
$0 $/pedaço
SI4456DY-T1-GE3
RF1S70N03
RF1S70N03
$0 $/pedaço
STP18N60M6
STP18N60M6
$0 $/pedaço
RSQ015P10HZGTR
RM2306E
RM2306E
$0 $/pedaço
FQB7N60TM
FQB7N60TM
$0 $/pedaço
IXFH120N30X3
IXFH120N30X3
$0 $/pedaço
FQPF7N60
FQPF7N60
$0 $/pedaço

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