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SIRA64DP-T1-RE3

SIRA64DP-T1-RE3

SIRA64DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

compliant

SIRA64DP-T1-RE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.43624 -
6,000 $0.41576 -
15,000 $0.40113 -
349 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 60A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.1mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 65 nC @ 10 V
vgs (máx.) +20V, -16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3420 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 27.8W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

NVMYS7D3N04CLTWG
NVMYS7D3N04CLTWG
$0 $/pedaço
STD15N60M2-EP
FDH047AN08A0
FDH047AN08A0
$0 $/pedaço
DMT10H009LSS-13
PMN40ENEX
PMN40ENEX
$0 $/pedaço
NX7002BKVL
NX7002BKVL
$0 $/pedaço
DMN2011UTS-13
DMP2066LDMQ-7
IXFX32N100P
IXFX32N100P
$0 $/pedaço

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