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IXFX32N100P

IXFX32N100P

IXFX32N100P

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247-3

compliant

IXFX32N100P Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $17.12000 $17.12
30 $14.39300 $431.79
120 $13.22600 $1587.12
510 $11.28100 $5753.31
1240 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 1000 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 32A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 320mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 6.5V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 225 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 14200 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 960W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor PLUS247™-3
pacote / caixa TO-247-3 Variant
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Número da peça relacionada

BSP135H6327XTSA1
IPI50R250CP
STW62NM60N
STW62NM60N
$0 $/pedaço
SIR836DP-T1-GE3
IXFA30N25X3
IXFA30N25X3
$0 $/pedaço
IRLIZ34NPBF
BUK969R0-60E,118
RD3L080SNFRATL

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