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SIRA50ADP-T1-RE3

SIRA50ADP-T1-RE3

SIRA50ADP-T1-RE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 54.8A/219A PPAK

não conforme

SIRA50ADP-T1-RE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.81311 -
6,000 $0.78489 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 54.8A (Ta), 219A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.04mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 150 nC @ 10 V
vgs (máx.) +20V, -16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 7300 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 6.25W (Ta), 100W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

NTD6416ANT4G
NTD6416ANT4G
$0 $/pedaço
STW50N65DM6
STW50N65DM6
$0 $/pedaço
DMP4050SSS-13
STW34NM60N
STW34NM60N
$0 $/pedaço
IRLMS2002TRPBF
SIHP180N60E-GE3
IRFR210TRLPBF
IRFR210TRLPBF
$0 $/pedaço
G3R20MT17K

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