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SIHP180N60E-GE3

SIHP180N60E-GE3

SIHP180N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 19A TO220AB

não conforme

SIHP180N60E-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $3.41000 $3.41
500 $3.3759 $1687.95
1000 $3.3418 $3341.8
1500 $3.3077 $4961.55
2000 $3.2736 $6547.2
2500 $3.2395 $8098.75
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 19A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 180mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 33 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1085 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 156W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

IRFR210TRLPBF
IRFR210TRLPBF
$0 $/pedaço
G3R20MT17K
IXTY1R4N120P
IXTY1R4N120P
$0 $/pedaço
STI45N10F7
STI45N10F7
$0 $/pedaço
UF3C065040T3S
UF3C065040T3S
$0 $/pedaço
NTTFS5C453NLTAG
NTTFS5C453NLTAG
$0 $/pedaço
G3R160MT12J
APT7F100B
APT7F100B
$0 $/pedaço
IRF540
IRF540
$0 $/pedaço
HUFA76429D3
HUFA76429D3
$0 $/pedaço

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