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SIRA26DP-T1-RE3

SIRA26DP-T1-RE3

SIRA26DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

compliant

SIRA26DP-T1-RE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.29508 -
6,000 $0.27473 -
15,000 $0.26455 -
30,000 $0.25900 -
489 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 25 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 60A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.65mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 44 nC @ 10 V
vgs (máx.) +16V, -12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2247 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 43.1W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

IRF830PBF-BE3
IRF830PBF-BE3
$0 $/pedaço
IRLR3410TRLPBF
IPP80R280P7XKSA1
RRR030P03TL
RRR030P03TL
$0 $/pedaço
STL13N60DM2
STL13N60DM2
$0 $/pedaço
STP24N60M2
STP24N60M2
$0 $/pedaço
SIRA74DP-T1-GE3
BUK7108-40AIE,118
BUK7108-40AIE,118
$0 $/pedaço
IXTT26N50P
IXTT26N50P
$0 $/pedaço

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