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SIRA74DP-T1-GE3

SIRA74DP-T1-GE3

SIRA74DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK

não conforme

SIRA74DP-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.06000 $1.06
500 $1.0494 $524.7
1000 $1.0388 $1038.8
1500 $1.0282 $1542.3
2000 $1.0176 $2035.2
2500 $1.007 $2517.5
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 24A (Ta), 81.2A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4.2mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 41 nC @ 10 V
vgs (máx.) +20V, -16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2000 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 4.1W (Ta), 46.2W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

BUK7108-40AIE,118
BUK7108-40AIE,118
$0 $/pedaço
IXTT26N50P
IXTT26N50P
$0 $/pedaço
SQ3419EV-T1_BE3
SI3129DV-T1-GE3
IXFN150N65X2
IXFN150N65X2
$0 $/pedaço
STW40N60M2-4
STW40N60M2-4
$0 $/pedaço
APT56F60B2
APT56F60B2
$0 $/pedaço
SQM35N30-97_GE3
BUK7E1R8-40E,127

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