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SIRA02DP-T1-GE3

SIRA02DP-T1-GE3

SIRA02DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

compliant

SIRA02DP-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.90345 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 50A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 117 nC @ 10 V
vgs (máx.) +20V, -16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 6150 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 5W (Ta), 71.4W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

NTLJS1102PTAG
NTLJS1102PTAG
$0 $/pedaço
IXTT440N055T2
IXTT440N055T2
$0 $/pedaço
RQ6E055BNTCR
RQ6E055BNTCR
$0 $/pedaço
FCH150N65F-F155
FCH150N65F-F155
$0 $/pedaço
SUM70040E-GE3
SUM70040E-GE3
$0 $/pedaço
STW68N60M6
STW68N60M6
$0 $/pedaço
SIAA00DJ-T1-GE3
FDB0105N407L
FDB0105N407L
$0 $/pedaço
PMV164ENEAR
PMV164ENEAR
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