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SUM70040E-GE3

SUM70040E-GE3

SUM70040E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 120A TO263

não conforme

SUM70040E-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
800 $1.92500 $1540
1,600 $1.80400 -
2,400 $1.71930 -
5,600 $1.65880 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 120A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 7.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 120 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5100 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 375W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263 (D²Pak)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

STW68N60M6
STW68N60M6
$0 $/pedaço
SIAA00DJ-T1-GE3
FDB0105N407L
FDB0105N407L
$0 $/pedaço
PMV164ENEAR
PMV164ENEAR
$0 $/pedaço
DMP1055USW-13
SIS822DNT-T1-GE3
IXFA12N50P
IXFA12N50P
$0 $/pedaço
FQU10N20CTU
FQU10N20CTU
$0 $/pedaço

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